A股碳化硅龍頭,這五只千萬(wàn)不能錯(cuò)過(guò)(2025/4/11)

南方財(cái)富網(wǎng) 2025-04-14 05:40

碳化硅什么股票受益?據(jù)南方財(cái)富網(wǎng)概念查詢工具數(shù)據(jù)顯示,碳化硅龍頭股如下

1、三安光電碳化硅龍頭股。

4月11日消息,三安光電7日內(nèi)股價(jià)下跌1.61%,最新報(bào)11.780元,成交額8.01億元。

公司2024年第三季度營(yíng)業(yè)總收入41.75億元,同比增長(zhǎng)13.27%;凈利潤(rùn)-6280.62萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)2278.24%;基本每股收益0.01元。

2020年半年報(bào)披露公司在長(zhǎng)沙設(shè)立子公司湖南三安從事碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,項(xiàng)目正處于建設(shè)階段。

2、楚江新材:碳化硅龍頭股。

4月11日消息,楚江新材最新報(bào)8.850元,漲0.23%。成交量2031.64萬(wàn)手,總市值為133.51億元。

2024年第三季度季報(bào)顯示,楚江新材公司營(yíng)業(yè)總收入141.88億元,凈利潤(rùn)-1.31億元,每股收益-0.12元,市盈率18.58。

3、晶盛機(jī)電碳化硅龍頭股。

4月11日晶盛機(jī)電開(kāi)盤(pán)消息,7日內(nèi)股價(jià)下跌7.7%,今年來(lái)漲幅下跌-6.8%,最新報(bào)29.870元,漲3.9%,市值為391.16億元。

公司2024年第三季度營(yíng)收約43.31億元,同比增長(zhǎng)-14.34%;凈利潤(rùn)約8.21億元,同比增長(zhǎng)-33.96%;基本每股收益0.66元。

4、東尼電子:碳化硅龍頭股。

4月11日消息,東尼電子今年來(lái)漲幅上漲1.21%,最新報(bào)17.300元,跌1.82%,成交額1.3億元。

公司2024年第三季度營(yíng)業(yè)總收入6.03億元,同比增長(zhǎng)3.64%;凈利潤(rùn)1225.92萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)114.62%;基本每股收益0.1元。

5、宇環(huán)數(shù)控:碳化硅龍頭股。

4月11日開(kāi)盤(pán)消息,宇環(huán)數(shù)控5日內(nèi)股價(jià)上漲1.61%,今年來(lái)漲幅上漲15.63%,最新報(bào)19.260元,漲3.1%,市盈率為240.75。

2024年第三季度顯示,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1.22億元,凈利潤(rùn)383.85萬(wàn)元,每股收益0.05元,市盈率72.12。

碳化硅概念股其他的還有:

海特高新:4月11日開(kāi)盤(pán)消息,海特高新(002023)漲1.3%,報(bào)9.380元,成交額1.15億元,換手率1.66%,成交量1231.42萬(wàn)手。公司旗下控股子公司海威華芯是國(guó)家發(fā)改委立項(xiàng)并建設(shè)的國(guó)際先進(jìn)水平的高性能集成電路制造企業(yè),主要從事6吋第二代/第三代化合物半導(dǎo)體集成電路芯片的研制,于2015年建成國(guó)內(nèi)首條6吋化合物半導(dǎo)體商用生產(chǎn)線,已完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅及磷化銦在內(nèi)的6大類(lèi)工藝產(chǎn)品的研發(fā),支持制造功率放大器、濾波器、混頻器、低噪音放大器、開(kāi)關(guān)、光電探測(cè)器、激光器、功率電子等產(chǎn)品。公司于2020年3月25日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司擁有氮化鎵600片/月的晶圓制造能力,部分產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

蘇州固锝:截至發(fā)稿,蘇州固锝(002079)漲3.14%,報(bào)9.210元,成交額1.74億元,換手率2.35%,振幅漲3.14%。公司SIC小批量生產(chǎn)的主要為碳化硅肖特基產(chǎn)品。

利歐股份:4月11日消息,利歐股份最新報(bào)價(jià)3.220元,3日內(nèi)股價(jià)上漲3.11%;今年來(lái)漲幅上漲4.04%,市盈率為11.1。聯(lián)合境外專(zhuān)業(yè)人士成立合資公司,公司持股20%,合作項(xiàng)目產(chǎn)品包括DISCRETE、IPM、PIM等封裝的工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)IGBT及使用碳化硅及氮化鎵材料的IGBT。

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