GaAs題材有那些（2025/4/22）

GaAs題材的上市企業(yè)有哪些？據(jù)南方財(cái)富網(wǎng)概念查詢(xún)工具數(shù)據(jù)顯示，GaAs題材的上市企業(yè)有：

卓勝微：截至4月22日15點(diǎn)，卓勝微報(bào)80.060元，跌0.52%，換手率1.36%，成交量609.97萬(wàn)手，市值為427.96億元。

回顧近30個(gè)交易日，卓勝微股價(jià)下跌8.78%，總市值下跌了13.74億，當(dāng)前市值為427.96億元。2025年股價(jià)下跌-12.04%。

公司在通信基站領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)階段性的成果，采用GaAs工藝的射頻低噪聲放大器產(chǎn)品及RFSOI工藝的射頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品已在通信基站領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)客戶(hù)端小批量出貨。

亞光科技：4月22日15點(diǎn)收盤(pán)，亞光科技跌1.61%，報(bào)5.510元；5日內(nèi)股價(jià)下跌0.18%，成交額1.08億元，市值為56.3億元。

在近30個(gè)交易日中，亞光科技有17天下跌，期間整體下跌17.6%，最高價(jià)為7.24元，最低價(jià)為6.24元。和30個(gè)交易日前相比，亞光科技的市值下跌了9.91億元，下跌了17.6%。

成都亞光子公司華光瑞芯主營(yíng)產(chǎn)品為GaN/GaAs功率放大器芯片、GaN高功率功放管芯、低噪聲放大器芯片、幅相控制多功能芯片（Core-Chip）、數(shù)控移相器、數(shù)控衰減器、混頻器等射頻微波芯片。

乾照光電：截至4月22日15時(shí)收盤(pán)，乾照光電報(bào)10.470元，漲0.29%，換手率1.46%，成交量1333.77萬(wàn)手，市值為96.36億元。

近30日股價(jià)下跌6.78%，2025年股價(jià)上漲1.05%。

中國(guó)內(nèi)地紅黃光芯片最大供應(yīng)商之一，積極布局以GaAs和GaN材料為基礎(chǔ)的化合物半導(dǎo)體方向，VCSEL、高端LED芯片半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目目前進(jìn)入施工階段。

和而泰：4月22日消息，和而泰15點(diǎn)報(bào)19.440元，漲1.62%，總市值為179.84億元，換手率7.78%，10日內(nèi)股價(jià)上漲14.04%。

回顧近30個(gè)交易日，和而泰股價(jià)下跌9.36%，最高價(jià)為23.58元，當(dāng)前市值為179.84億元。

公司子公司鋮昌科技主營(yíng)業(yè)務(wù)為微波毫米波射頻芯片的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品包括GaAs功率放大器芯片、GaAs低噪聲放大器芯片、GaAs多功能芯片、CMOS多功能芯片、數(shù)控移相器芯片、數(shù)控衰減器芯片以及GaN寬帶大功率芯片等,產(chǎn)品已經(jīng)批量應(yīng)用于航天、航空等相關(guān)型號(hào)裝備。

三安光電：三安光電截至收盤(pán)，該股漲0.41%，股價(jià)報(bào)12.170元，換手率0.63%，成交量3141.94萬(wàn)手，總市值607.16億。

回顧近30個(gè)交易日，三安光電股價(jià)下跌0.74%，總市值上漲了20.45億，當(dāng)前市值為607.16億元。

是目前國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局最完備的公司之一，涉及GaAs、GaN、SiC等化合物半導(dǎo)體材料，覆蓋化合物襯底、外延和芯片生產(chǎn)。

北方華創(chuàng)：4月22日，北方華創(chuàng)開(kāi)盤(pán)報(bào)453.5元，截至下午3點(diǎn)收盤(pán)，報(bào)461.850元，成交額19.87億元，換手率0.8%，市值為2465.82億元。

回顧近30個(gè)交易日，北方華創(chuàng)股價(jià)上漲3.81%，最高價(jià)為471.6元，當(dāng)前市值為2465.82億元。

北方華創(chuàng)多年來(lái)精耕MEMS領(lǐng)域，攻關(guān)前沿半導(dǎo)體技術(shù)，能夠?yàn)?G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)提供多樣化的國(guó)產(chǎn)裝備及工藝解決方案。NAURAHSE系列刻蝕設(shè)備針對(duì)MEMS硅刻蝕工藝研發(fā)，已通過(guò)多年量產(chǎn)驗(yàn)證，性能穩(wěn)定；GSEC200刻蝕設(shè)備針對(duì)GaN/GaAs/IR紅外傳感等III-V和II-VI材料研發(fā)，刻蝕材料范圍廣，兼具低速低損傷的原子層（ALE）刻蝕能力；GDEC200專(zhuān)為SiC背部通孔刻蝕、SiC柵槽刻蝕設(shè)計(jì)，工藝兼容性良好，能夠完全滿(mǎn)足器件制程要求。

數(shù)據(jù)僅參考，不構(gòu)成投資建議，據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。